[发明专利]一种黑硅电池片的清洗槽工艺

摘要

本发明公开了一种黑硅电池片的清洗槽工艺，包括如下工艺步骤：预清洗；第一次纯水清洗；制绒；第二次纯水清洗；HNO3清洗；第三次纯水清洗；HF+HCL+H2O2清洗；第四次纯水清洗；碱洗；第五次纯水清洗；HCL+H2O2清洗；第六次纯水清洗；HF+HCL酸洗；第七次纯水清洗；预脱水；槽式烘干；下料，该黑硅电池片的清洗槽工艺，使得黑硅电池片清洗彻底，从而彻底清除有机物，无机盐，金属、Si、SiO2粉尘等杂质，进而延长其使用寿命，降低整体经济成本，给相关产品的使用带来便利，本发明设计合理，更加人性化，适合推广使用。

主权项

1.一种黑硅电池片的清洗槽工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用处理液辅助以循环和鼓泡的方式在一定温度下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用处理液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在一定温度对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；第5步，HNO3清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO3清洗，利用HNO3辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；第6步，第三次纯水清洗：将HNO3清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第7步，HF+HCL+H2O2清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H2O2清洗，利用HF+HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第11步，HCL+H2O2清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H2O2清洗，利用HCL+H2O2辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H2O2清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在一定温度下处理2min，此过程不断进行抽风；第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在一定温度下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。