[发明专利]自对准双重图案方法有效
| 申请号： | 201810018346.2 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110021518B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;林盈志;林刚毅 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自对准双重图案方法，其包含在掩模层上形成往第一方向延伸且彼此等距间隔的线结构、在该些线结构上形成有机介电层、进行一回蚀刻制作工艺，使得该些线结构的顶面与该有机介电层齐平、在该些线结构以及该有机介电层上形成依材质与该些线结构相同的层结构、在该层结构上形成往第二方向延伸且彼此等距间隔的第一间隔壁、以及以第一间隔壁为掩模进行蚀刻制作工艺来图形化该些线结构与该有机介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准双重图案方法，其特征在于，包含：提供一基底，该基底上形成有一掩模层；在该掩模层上形成多条线结构，其中该些线结构往第一方向延伸且彼此等距间隔；在该些线结构以及该基底上形成有机介电层；进行一回蚀刻制作工艺，使得该些线结构的顶面与该有机介电层齐平；在该些线结构以及该有机介电层上形成一层结构，该层结构的材质与该些线结构相同；在该层结构上形成多条第一间隔壁，其中该些第一间隔壁往第二方向延伸且彼此等距间隔；以及以该些第一间隔壁为掩模进行第一蚀刻制作工艺来图形化该些层结构、该些线结构、以及该有机介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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