[发明专利]半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法有效
| 申请号： | 201810018154.1 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108385148B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 都正万;崔荣峻;尹珍国;韩承熙;庾炳容 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术研究院 |
| 主分类号： | C25D11/06 | 分类号： | C25D11/06;C22C21/08;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的一实施方式涉及的半导体反应器用金属母材的涂层形成方法包括以下步骤：将半导体反应器用金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO |
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| 搜索关键词： | 半导体 反应器 反应 器用 金属 涂层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体反应器用金属母材的涂层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：将半导体反应器用金属母材浸渍于包含NaOH以及NaAlO2的碱性水溶液电解液中；以及，将电极连接在所述金属母材上，对所述电极供电，通过等离子体电解氧化法在所述金属母材上形成涂层。
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