[发明专利]一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法在审

专利信息
申请号: 201810013522.3 申请日: 2018-01-07
公开(公告)号: CN108231955A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 高志远;张洁;赵立欢;邹德恕;陆利伟 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/09
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法,涉及紫外探测技术领域与封装领域。具体地说是利用集成电路一级封装中的金属封装,针对ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装,采用固定的带窗口的金属管底座和管帽,同时利用储能焊工艺及修饰液,保证ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性和封装后器件整体的稳定性。
搜索关键词: 封装 紫外探测器 紫外探测技术 金属封装 储能焊 高增益 固定的 金属管 修饰液 管帽 底座 集成电路 保证
【主权项】:
1.一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:a、对金属管帽和金属管底座进行清洗,清洗后再烘干;金属管底座的顶端设有透明材质的窗口;b、用导电胶将ZnO纳米线紫外探测器件固定在所述的金属管底座中间,并进行压焊工艺;c、将修饰液滴在ZnO纳米线紫外探测器件上,完全覆盖ZnO纳米线紫外探测器件,并将金属管底座放入烘箱内进行烘烤;d、在N2氛围下,采用储能焊技术将所述的管帽盖在所述的烘烤后的管座上进行封装,管帽与管座之间充满干燥的氮气。
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