[发明专利]一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法在审
申请号: | 201810013522.3 | 申请日: | 2018-01-07 |
公开(公告)号: | CN108231955A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 高志远;张洁;赵立欢;邹德恕;陆利伟 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/09 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法,涉及紫外探测技术领域与封装领域。具体地说是利用集成电路一级封装中的金属封装,针对ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装,采用固定的带窗口的金属管底座和管帽,同时利用储能焊工艺及修饰液,保证ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性和封装后器件整体的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 封装 紫外探测器 紫外探测技术 金属封装 储能焊 高增益 固定的 金属管 修饰液 管帽 底座 集成电路 保证 | ||
【主权项】:
1.一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:a、对金属管帽和金属管底座进行清洗,清洗后再烘干;金属管底座的顶端设有透明材质的窗口;b、用导电胶将ZnO纳米线紫外探测器件固定在所述的金属管底座中间,并进行压焊工艺;c、将修饰液滴在ZnO纳米线紫外探测器件上,完全覆盖ZnO纳米线紫外探测器件,并将金属管底座放入烘箱内进行烘烤;d、在N2氛围下,采用储能焊技术将所述的管帽盖在所述的烘烤后的管座上进行封装,管帽与管座之间充满干燥的氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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