[发明专利]一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板在审
| 申请号： | 201810012447.9 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108198894A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄睿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板，其中光电二极管包括基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，在所述第一电极层远离所述基板一侧的表面具有多个凹陷区；利用第一电极层表面的多个凹陷区结构接收光子，产生等离子激元共振效应，从而促进光电二极管对入射光的吸收，进而提高光电二极管的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 第一电极 基板 掺杂层 凹陷区 制备 光电转换效率 等离子激元 层叠设置 第二电极 共振效应 本征层 入射光 光子 吸收 申请 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，所述第一电极层在朝向所述第一掺杂层一侧的表面具有多个凹陷区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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