[发明专利]一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，将进行激光开槽后的硅片采用化学蚀刻法对硅片背面的激光槽的底面与侧壁进行平坦化修复处理，同时对硅片正面扩散层进行蚀刻，优化扩散层中掺杂磷原子浓度梯度，优化发射极。之后再在硅片正面沉积SiO2薄膜和第二氮化硅减反射膜。通过本发明所述的制备方法，通过对损伤层的修复提高了太阳能电池片的开路电压和光电转换效率。

主权项

1.一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，制作电池所用的晶体硅片为含B的P型晶体硅片，包括以下步骤：S1：表面制绒：采用清洗液对晶体硅片的两侧的表面进行清洗、腐蚀，在晶体硅片的表面形成陷光结构；S2：制作PN结：将两块晶体硅片的背面背对背放入高温扩散炉中，在惰性气体的保护下，向炉内通入的POCl3和O2气体在700℃‑900℃下发生化学反应，形成的磷元素扩散至与气体接触的扩散层中，与P型晶体硅片形成PN结；S3：蚀刻抛光：将硅片放入HNO3和HF的清洗液中，去除磷硅玻璃和硅片侧面的PN结，同时对硅片的背面进行抛光处理；S4：背面钝化：在硅片的背面用原子沉积法或PECVD法先后沉积氧化铝膜和第一氮化硅薄膜的钝化层；S5：激光开槽：在硅片的背面采用激光开槽法在电极栅极线所在的位置进行开槽，所开的激光槽贯穿钝化层，激光槽的底面与硅基底相接触；S6：修复优化：采用化学蚀刻法对硅片背面的激光槽的底面与侧壁进行平坦化修复处理，并对硅片正面扩散层进行刻蚀；S7：正面镀膜：将硅片放置臭氧中，在电池的正面形成一层SiO2膜后，用PECVD法在硅片的表面沉积一层第二氮化硅薄膜；S8：电极制作：采用丝网印刷法先后在硅片的背面和正面印刷制作背电极和正电极，经烘干后，将硅片置于烧结炉中进行烧结。