[发明专利]一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，制作电池所用的晶体硅片为含B的P型晶体硅片，包括以下步骤：

S1：表面制绒：采用清洗液对晶体硅片的两侧的表面进行清洗、腐蚀，在晶体硅片的表面形成陷光结构；

S2：制作PN结：将两块晶体硅片的背面背对背放入高温扩散炉中，在惰性气体的保护下，向炉内通入的POCl₃和O₂气体在700℃-900℃下发生化学反应，形成的磷元素扩散至与气体接触的扩散层中，与P型晶体硅片形成PN结；

S3：蚀刻抛光：将硅片放入HNO₃和HF的清洗液中，去除磷硅玻璃和硅片侧面的PN结，同时对硅片的背面进行抛光处理；

S4：背面钝化：在硅片的背面用原子沉积法或PECVD法先后沉积氧化铝膜和第一氮化硅薄膜的钝化层；

S5：激光开槽：在硅片的背面采用激光开槽法在电极栅极线所在的位置进行开槽，所开的激光槽贯穿钝化层，激光槽的底面与硅基底相接触；

S6：修复优化：采用化学蚀刻法对硅片背面的激光槽的底面与侧壁进行平坦化修复处理，并对硅片正面扩散层进行刻蚀；

S7：正面镀膜：将硅片放置臭氧中，在电池的正面形成一层SiO₂膜后，用PECVD法在硅片的表面沉积一层第二氮化硅薄膜；

S8：电极制作：采用丝网印刷法先后在硅片的背面和正面印刷制作背电极和正电极，经烘干后，将硅片置于烧结炉中进行烧结。

2.根据权利要求1所述的一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的S6包括以下步骤：

St1:将硅片放入温度为20-60℃，浓度为1％-10％的HF酸溶液除去激光槽底面与侧壁氧化层；

St2：将硅片放入氢氧化钠和双氧水的混合溶液，所述的混合溶液去除激光对钝化层表面造成的机械损伤和毛刺，同时对硅片正面扩散层进行刻蚀；所使用的混合溶液中NaOH：H₂O₂：H₂0的摩尔比为1:1:5-1:1:10；

St3:将硅片放入用氢氟酸和盐酸的混合溶液2-3min，去除硅片表面金属杂质并脱水；；

St4:将硅片浸渍在30-60℃的热水中1-3min；

以上所述的St2-St4，所述的硅片从一种溶液取出后，将硅片先用去离子水清洗烘干后再放入下一个步骤的溶液中。

3.根据权利要求1所述的一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：S4中所沉积的氧化铝膜的膜厚为18-28nm。

4.根据权利要求1所述的一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：S4中所沉积的第一氮化硅薄膜的膜厚为120-150nm。

5.根据权利要求1所述的一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：S5中所形成的激光槽的宽度为30-60μm。

6.根据权利要求1或2所述的一种背面钝化的P型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：经S6对硅片的扩散层进行优化后，所述的扩散层的方阻增大了20-40Ω，所述的扩散层的厚度减小了0.1-0.2μm。