[发明专利]一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备在审
申请号: | 201810002981.1 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108231804A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 卜倩倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备。该光电探测单元包括衬底基板,设置于衬底基板上的薄膜晶体管器件,包括有源层,栅极,源极和漏极,在栅极信号的作用下,利用有源层将源极和漏极连接;设置于衬底基板上的光电探测器件,用于在光子作用下激发出光电流,产生电信号,包括位于衬底基板上的光电转换层,与光电转换层接触的电极层。其中,有源层与光电转换层同层设置;第一电极与源极电连接,用于传输产生的电信号。该单元具有制作工艺简单,结构轻薄,光电转换效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 衬底基板 光电探测单元 光电转换层 源层 源极 光电探测设备 漏极 薄膜晶体管器件 光电探测器件 光电转换效率 第一电极 光子作用 同层设置 栅极信号 制作工艺 轻薄 电极层 电连接 光电流 制造 传输 激发 | ||
【主权项】:
1.一种光电探测单元,其特征在于,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电探测器件;其中,所述薄膜晶体管器件包括:有源层,栅极,栅绝缘层,源极和漏极;所述光电探测器件包括:光电转换层和电极层;所述电极层与所述光电转换层接触,所述电极层包括相互独立的第一电极与第二电极;以及,所述有源层与所述光电转换层同层设置;所述第一电极与所述源极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810002981.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的