[发明专利]一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备在审

专利信息
申请号: 201810002981.1 申请日: 2018-01-02
公开(公告)号: CN108231804A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 卜倩倩 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L21/82
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备。该光电探测单元包括衬底基板,设置于衬底基板上的薄膜晶体管器件,包括有源层,栅极,源极和漏极,在栅极信号的作用下,利用有源层将源极和漏极连接;设置于衬底基板上的光电探测器件,用于在光子作用下激发出光电流,产生电信号,包括位于衬底基板上的光电转换层,与光电转换层接触的电极层。其中,有源层与光电转换层同层设置;第一电极与源极电连接,用于传输产生的电信号。该单元具有制作工艺简单,结构轻薄,光电转换效率高的优点。
搜索关键词: 衬底基板 光电探测单元 光电转换层 源层 源极 光电探测设备 漏极 薄膜晶体管器件 光电探测器件 光电转换效率 第一电极 光子作用 同层设置 栅极信号 制作工艺 轻薄 电极层 电连接 光电流 制造 传输 激发
【主权项】:
1.一种光电探测单元,其特征在于,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电探测器件;其中,所述薄膜晶体管器件包括:有源层,栅极,栅绝缘层,源极和漏极;所述光电探测器件包括:光电转换层和电极层;所述电极层与所述光电转换层接触,所述电极层包括相互独立的第一电极与第二电极;以及,所述有源层与所述光电转换层同层设置;所述第一电极与所述源极电连接。
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