[发明专利]TFT基板、ESD保护电路及TFT基板的制作方法在审
| 申请号： | 201780096933.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111357107A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金志河 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04;G09G3/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种TFT基板、ESD保护电路及TFT基板的制作方法，TFT基板包括：衬底基板(11)；设于衬底基板(11)上的第一栅极(12)；设于第一栅极(12)上方的第一绝缘层(13)；设于第一绝缘层(13)上方的漏极(14)、源极(15)及有源层(16)；设于漏极(14)、源极(15)及有源层(16)上方的第二绝缘层(17)；设于第二绝缘层(17)上方的第二栅极(18)。这样，可避免液晶面板画面显示异常。 | ||
| 搜索关键词： | tft 基板 esd 保护 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
