[发明专利]TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法在审
| 申请号： | 201780096681.8 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111344865A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林致远;蔡武卫;陈国峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种TFT阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法，绑定区包括第一基板(10)、设置在第一基板(10)上的金属叠层(20)、设置在第一基板(10)上并覆盖金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、以及设置在金属叠层(20)上的透光导电层(40)；金属叠层(20)包括具有Cu层的第一金属层(21)；透光导电层(40)覆盖在第一金属层(21)上。在TFT阵列结构的绑定区中，通过透光导电层(40)在金属层上的设置，对金属层进行保护，避免金属层中的Cu金属氧化腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 结构 及其 绑定 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
