[发明专利]半导体产品和制造工艺在审
| 申请号： | 201780096271.3 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111480224A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈亚平;杨红;阿巴斯·阿里;左超;赛特拉曼·西达尔;刘运龙 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制造半导体产品(200)以及用于形成具有铝层(218)和钨层(216)的图案化堆叠的工艺(100)包括：在栅极结构(204)上以及衬底(202)的第一区域和第二区域(208，210)上形成(104)第一介电层(212)；在所述第一介电层(212)上形成(108)扩散阻挡层(214)；在所述扩散阻挡层(214)上形成(110)钨层(216)；在所述钨层(216)上形成(112)铝层(218)；在所述铝层(218)上形成(114)硬掩模层(220)；形成(116)图案化抗蚀剂掩模层(222)，其覆盖所述第一区域(208)上方的所述硬掩模层(220)且暴露出所述第二区域(210)上方的所述硬掩模层(220)；使用所述图案化抗蚀剂掩模层(222)干蚀刻(118，120)所述第二区域(210)上方的所述硬掩模层(220)和所述铝层(218)；去除(122)所述抗蚀剂掩模层(222)；且使用所述硬掩模层(220)干蚀刻(124)所述钨层(216)，以暴露出所述第二区域(210)上方的所述第一介电层(212)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 产品 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
