[发明专利]具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件在审
| 申请号： | 201780094562.9 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111095564A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;U·E·阿维奇;C·J·维甘德;A·乔杜里;J·S·沙瓦拉;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于形成包括源极接触部和漏极接触部以及栅电极中的一个或多个(其包括含有过渡金属的晶态合金)的半导体集成电路的技术。所述晶态合金有助于降低对于半导体器件的接触电阻。在本公开的一些实施例中，这一接触电阻的降低是通过使晶态合金的功函数与源极区和漏极区的功函数对齐，使得与晶态合金与源极区之间的界面和晶态合金与漏极区之间的界面相关联的肖特基势垒高度处于小于或等于0.3eV的范围内而实现的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 晶态 合金 金属 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780094562.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：伺服控制装置
- 下一篇：一种照明控制系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
