[发明专利]电感耦合等离子体天线和包括它的基板处理装置在审
| 申请号： | 201780085478.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110301028A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 崔伦硕 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人： | 许玉顺 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及电感耦合等离子体(ICP)天线，天线的一端通过阻抗匹配电路连接至射频(RF)电源且另一端接地；及可变电容器，并联于所述天线线圈的局部。 | ||
| 搜索关键词： | 电感耦合等离子体 天线 基板处理装置 阻抗匹配电路 可变电容器 天线线圈 接地 并联 射频 电源 | ||
【主权项】：
1.一种低温外延层形成方法，其特征在于，包括以下步骤：将基板传送到外延腔；及对所述基板实施外延工序以在所述基板上形成外延层；所述外延工序包括以下步骤：在将所述基板加热到700℃以下且将外延腔内部调整至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第一外延层；停止注入所述硅气体，向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第一次净化；在将所述基板加热到700℃以下且将所述外延腔内部调整至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第二外延层；及停止注入所述硅气体，向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第二次净化。
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