[发明专利]碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中偏离角为θ°，碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm。假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。

主权项

1.一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：具有第一主面的碳化硅单晶衬底；和在所述第一主面上的碳化硅层，所述碳化硅层包含与所述碳化硅单晶衬底接触的面、以及与所述面相反的第二主面，所述第二主面是相对于{0001}面在偏离方向上以偏离角倾斜的面，所述第二主面具有缺陷，并且假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中所述偏离角为θ°，在垂直于所述第二主面的方向上所述碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将所述偏离方向投影到所述第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm，并且假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm，并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm，则通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5，