[发明专利]微机电系统装置中的传感器功率斜变有效
| 申请号： | 201780082252.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110191859B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | C·弗斯特;V·钱德拉塞克兰 | 申请（专利权）人： | 美商楼氏电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/04;G01L27/02;G01L23/12;H04R19/04;H04R1/04;H04R19/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;李辉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 微机电系统(MEMS)装置包括至少一个基板、盖子、MEMS部件、传感器和电源。所述盖子联接至所述基板，使得所述基板和所述盖子共同限定出内腔。所述MEMS部件设置在所述内腔内。所述传感器设置在所述内腔内且布置成检测所述内腔的参数。所述电源向所述传感器提供电流。所述电源被配置为在所述电流的斜升过渡和所述电流的斜降过渡期间控制电流，使得所述斜升过渡和所述斜降过渡具有衰减的高频分量。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 装置 中的 传感器 功率 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统MEMS装置，所述MEMS装置包括：MEMS元件；传感器，所述传感器用于检测参数；以及电源，所述电源向所述传感器提供电流，所述电源布置成在所述电流的斜升过渡和所述电流的斜降过渡期间控制电流，在所述斜升过渡和所述斜降过渡期间控制电流使所提供的电流的高频分量衰减。
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