[发明专利]微机电系统装置中的传感器功率斜变有效
| 申请号： | 201780082252.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110191859B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | C·弗斯特;V·钱德拉塞克兰 | 申请（专利权）人： | 美商楼氏电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/04;G01L27/02;G01L23/12;H04R19/04;H04R1/04;H04R19/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;李辉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机 系统 装置 中的 传感器 功率 | ||
1.一种微机电系统MEMS装置，所述MEMS装置包括：
MEMS元件；
传感器，所述传感器用于检测参数；以及
电源，所述电源向所述传感器提供电流，所述电源布置成在所述电流的斜升过渡和所述电流的斜降过渡期间控制电流，在所述斜升过渡和所述斜降过渡期间控制电流使所提供的电流的高频分量衰减。
2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中，所述参数是温度。
3.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中，所述参数是湿度、压力、气体存在以及气体浓度中的一者。
4.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中，所述MEMS元件包括声学装置，并且其中，所述高频分量的衰减减轻了针对从所述声学装置提供的声学信息所产生的热噪声效应和电噪声效应中的一者或两者。
5.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中，所述电源还被配置为，在所述斜升过渡与所述斜降过渡之间向所述传感器提供足以使所述传感器维持在接通状态下的电力。
6.根据权利要求5所述的MEMS装置，其中，所述电源还被配置为，在所述传感器处于所述接通状态下时将所述电流从第一电流值增加至第二电流值。
7.根据权利要求5所述的MEMS装置，其中，所述接通状态的持续时间在约50ms至200ms之间。
8.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中，所述电源还被配置为根据斜升电流曲线在所述斜升过渡期间控制电流，并且所述电源还被配置为根据斜降电流曲线在所述斜降过渡期间控制电流。
9.根据权利要求8所述的MEMS装置，其中，所述斜升电流曲线和所述斜降电流曲线彼此不同。
10.根据权利要求8所述的MEMS装置，其中，所述斜升电流曲线和所述斜降电流曲线中的一者或两者是线性的、非线性的、对数的和指数的中的一者。
11.一种将电力从电源提供到位于微机电系统MEMS装置内的传感器的方法，所述方法包括如下步骤：
根据斜升曲线将电流从所述电源提供到所述传感器，其中，控制来自所述电源的电流，使得所述斜升曲线具有衰减的高频分量；
根据斜降曲线将电流从所述电源提供到所述传感器，其中，控制来自所述电源的电流，使得所述斜降曲线具有衰减的高频分量；以及
在和所述斜升曲线关联的斜升过渡与和所述斜降曲线关联的斜降过渡之间，向所述传感器提供足以使所述传感器维持在接通状态下的电力。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述高频分量的衰减减轻了针对从所述MEMS装置的声学装置提供的声学信息所产生的热噪声效应和电噪声效应。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述接通状态的持续时间在约50ms至200ms之间。
14.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括如下步骤：在所述传感器处于所述接通状态下时将所述电流从第一电流值增加至第二电流值。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，以与所述传感器的采样率对应的预定间隔来重复所述方法。
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