[发明专利]用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的方法

摘要

一种用于从具有前侧(4)、后侧(6)和边缘(8)的衬底(2)制造光伏电池的方法。在前侧(4)的至少一部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(4a)。施加具有由多晶硅层覆盖的薄氧化层的堆栈(10)，其中，堆栈(10)施加至衬底(2)的后侧(6)和前侧(4)，并且也可施加在边缘(8)上。然后，去除前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈(10)。

主权项

1.用于从衬底(2)制造光伏电池的方法，所述衬底(2)具有前侧(4)、后侧(6)和边缘(8)，所述方法包括：在所述前侧(4)的至少部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(4a)；施加堆栈(10)，所述堆栈(10)具有由多晶硅层覆盖的薄氧化层，其中，所述堆栈(10)施加至所述衬底(2)的所述后侧(6)和所述前侧(4)；去除所述前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)。