[发明专利]自化学机械平坦化基板移除残留物的组合物及方法有效
| 申请号： | 201780077334.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110088881B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄禾琳;崔骥 | 申请（专利权）人： | CMC材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 肖靖泉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文阐述CMP后清洗溶液，及可用于自CMP基板移除残留物或防止残留物在CMP基板表面上形成的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 平坦 化基板移 残留物 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自CMP基板移除残留物的方法，该方法包含：(a)提供CMP基板，(b)提供包括垫的平台，(c)提供包含以下的清洗溶液：液体载剂，和环糊精化合物，以及(d)使该垫及该清洗溶液与该基板的表面接触并运动，以自该表面移除该残留物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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