[发明专利]用于高性能标准单元的多过孔结构

摘要

一种IC的MOS器件，包括pMOS和nMOS晶体管。MOS器件进一步包括：第一Mx层互连，其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起；以及第二Mx层互连，其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起。第一和第二Mx层互连是平行的。MOS器件进一步包括沿与第一方向正交的第二方向延伸的第一Mx+1层互连。第一Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。MOS器件进一步包括沿第二方向延伸的第二Mx+1层互连。第二Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。第二Mx+1层互连与第一Mx+1层互连平行。

主权项

1.一种集成电路(IC)的金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：多个p型MOS(pMOS)晶体管，每个pMOS晶体管具有pMOS晶体管栅极、pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极，每个pMOS晶体管栅极沿第一方向延伸；多个n型MOS(nMOS)晶体管，每个nMOS晶体管具有nMOS晶体管栅极、nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极，每个nMOS晶体管栅极沿所述第一方向延伸，每个nMOS晶体管栅极与对应的pMOS晶体管栅极通过沿所述第一方向延伸的相同栅极互连形成；第一金属x(M_x)层互连，沿所述第一方向延伸，并且将所述pMOS晶体管漏极耦合到所述nMOS晶体管漏极；第二M_x层互连，沿所述第一方向延伸，并且将所述pMOS晶体管漏极耦合到所述nMOS晶体管漏极，所述第二M_x层互连与所述第一M_x层互连平行；第一金属x+1(M_x+1)层互连，沿与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述第一M_x+1层互连被耦合到所述第一M_x层互连和所述第二M_x层互连；以及第二M_x+1层互连，沿所述第二方向延伸，所述第二M_x+1层互连被耦合到所述第一M_x层互连和所述第二M_x层互连，所述第二M_x+1层互连与所述第一M_x+1层互连平行，所述第一M_x+1层互连和所述第二M_x+1层互连是所述MOS器件的输出。