[发明专利]用于高性能标准单元的多过孔结构

权利要求书

1.一种集成电路的金属氧化物半导体MOS器件，包括：

多个pMOS晶体管，每个pMOS晶体管具有pMOS晶体管栅极、pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极，每个pMOS晶体管栅极沿第一方向延伸并且由栅极互连形成；

多个nMOS晶体管，每个nMOS晶体管具有nMOS晶体管栅极、nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极，每个nMOS晶体管栅极沿所述第一方向延伸并且由所述栅极互连形成；

第一金属x层互连，沿所述第一方向延伸，并且将所述pMOS晶体管漏极耦合到所述nMOS晶体管漏极；

第二金属x层互连，沿所述第一方向延伸，并且将所述pMOS晶体管漏极耦合到所述nMOS晶体管漏极，所述第二金属x层互连与所述第一金属x层互连平行；

第一金属x+1层互连，沿与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述第一金属x+1层互连被耦合到所述第一金属x层互连和所述第二金属x层互连；以及

第二金属x+1层互连，沿所述第二方向延伸，所述第二金属x+1层互连被耦合到所述第一金属x层互连和所述第二金属x层互连，所述第二金属x+1层互连与所述第一金属x+1层互连平行，所述第一金属x+1层互连和所述第二金属x+1层互连是所述MOS器件的输出。

2.根据权利要求1所述的MOS器件，进一步包括沿所述第一方向延伸的金属x+2层互连，所述金属x+2层互连被耦合到所述第一金属x+1层互连和所述第二金属x+1层互连。

3.根据权利要求2所述的MOS器件，其中所述MOS器件在标准单元内，并且所述金属x+2层互连延伸到所述标准单元外部以与另一标准单元的输入耦合。

4.根据权利要求2所述的器件，其中所述金属x+2层互连通过过孔x+1层上的第一V_x+1过孔被耦合到所述第一金属x+1层互连，并且通过所述过孔x+1层上的第二V_x+1过孔被耦合到所述第二金属x+1层互连。

5.根据权利要求4所述的MOS器件，其中所述MOS器件被配置为使得输出电流通过所述第一V_x+1过孔和所述第二V_x+1过孔流到所述金属x+2层互连。

6.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述第一金属x+1层互连通过过孔x层上的第一V_x过孔被耦合到所述第一金属x层互连，并且通过所述过孔x层上的第二V_x过孔被耦合到所述第二金属x层互连，并且其中所述第二金属x+1层互连通过所述过孔x层上的第三V_x过孔被耦合到所述第一金属x层互连，并且通过所述过孔x层上的第四V_x过孔被耦合到所述第二金属x层互连。

7.根据权利要求6所述的MOS器件，其中所述MOS器件被配置为使得输出电流通过所述第一V_x过孔和所述第二V_x过孔流到所述第一金属x+1层互连，并且通过所述第三V_x过孔和所述第四V_x过孔流到所述第二金属x+1层互连。

8.根据权利要求1所述的MOS器件，其中x为1。

9.根据权利要求1所述的MOS器件，进一步包括：

第一金属x-1层互连，沿所述第二方向延伸并且将所述pMOS晶体管漏极耦合在一起，所述第一金属x层互连和所述第二金属x层互连被耦合到所述第一金属x-1层互连；以及

第二金属x-1层互连，沿所述第二方向延伸并且将所述nMOS晶体管漏极耦合在一起，所述第一金属x层互连和所述第二金属x层互连被耦合到所述第二金属x-1层互连。

10.根据权利要求9所述的MOS器件，进一步包括第三金属x-1层互连，所述第三金属x-1层互连沿所述第二方向延伸并且将所述pMOS晶体管栅极和所述nMOS晶体管栅极耦合在一起。