[发明专利]具有带有注入侧壁的栅极沟槽的功率半导体器件及相关方法

摘要

半导体器件包括半导体层结构，半导体层结构具有宽带隙半导体漂移区域，宽带隙半导体漂移区域具有第一导电类型。栅极沟槽被设置在半导体层结构的上部部分中，栅极沟槽具有在半导体层结构的上部部分中在第一方向上延伸的相对的第一侧壁和第二侧壁。这些器件进一步包括深屏蔽图案和深屏蔽连接图案，深屏蔽图案在栅极沟槽的底部表面下方的半导体层结构中、具有与第一导电类型相反的第二导电类型，深屏蔽连接图案在栅极沟槽的第一侧壁中、具有第二导电类型。器件包括栅极沟槽的第二侧壁中的具有第一导电类型的半导体沟道区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体层结构，所述半导体层结构包括包含宽带隙半导体材料的漂移区域，所述漂移区域具有第一导电类型；半导体层结构的上部部分中的栅极沟槽，所述栅极沟槽具有在所述半导体层结构的所述上部部分中在第一方向上延伸的相对的第一侧壁和第二侧壁；具有第二导电类型的深屏蔽图案，在所述栅极沟槽的底部表面下方的半导体层结构中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；具有所述第二导电类型的深屏蔽连接图案，所述深屏蔽连接图案在所述栅极沟槽的所述第一侧壁中；和具有所述第一导电类型的半导体沟道区域，所述半导体沟道区域在所述栅极沟槽的所述第二侧壁中。