[发明专利]用于制造低K膜以填充表面特征的前体和可流动CVD法

摘要

一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。

主权项

1.一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入反应器中；向所述反应器中引入至少一种具有式I结构的有机氨基硅烷化合物：(R¹R²N)_4‑nSi‑R³_n     (I)，其中R¹、R²和R³选自氢、C₁至C₁₀直链或支链烷基、环状烷基、烯基、炔基和芳基；并且n＝0、1、2、3，其中R¹、R²和R³中的至少一个不是氢；和至少一种具有式II结构的多官能有机胺化合物：NR⁴R⁵R⁶    (II)其中R⁴、R⁵和R⁶各自独立地选自H、C₁‑C₄烷基单氨基、C₁‑C₄烷基二氨基和C₁‑C₄烷基三氨基，其中R⁴、R⁵和R⁶中的至少一个不是氢；和任选地在能量源存在下，使所述至少一种有机氨基硅烷化合物与所述多官能有机胺化合物至少部分地反应以形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。