[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780073447.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109997215B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 宫腰宣树 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/322;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的半导体装置的制造方法，依次包括：MOS构造形成工序，在半导体基体的第一主面侧通过栅极绝缘膜形成栅电极后，形成层间绝缘膜使其覆盖该栅电极；金属层形成工序，在所述层间绝缘膜的上方形成与所述栅电极相连接的状态的金属层；电子束照射工序，在将所述金属层作为接地电位的状态下从所述第一主面侧或第二主面侧对所述半导体基体进行电子束照射从而在所述半导体基体的内部生成晶格缺陷；金属层分割工序，将所述金属层分割成多个电极；以及退火处理工序，对所述半导体基体进行加热从而修复所述半导体基体的所述晶格缺陷。根据本发明的半导体装置的制造方法，其能够制造出：相比不实施电子束照射工序，寄生内置二极管的恢复损耗更小的，并且具有与不实施电子束照射工序的情况下同等的阈值电压V |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：MOS构造形成工序，在半导体基体的第一主面侧通过栅极绝缘膜形成栅电极后，形成层间绝缘膜使其覆盖该栅电极；金属层形成工序，在所述层间绝缘膜的上方形成与所述栅电极相连接的状态的金属层；电子束照射工序，在将所述金属层作为接地电位的状态下从所述第一主面侧或第二主面侧对所述半导体基体进行电子束照射从而在所述半导体基体的内部生成晶格缺陷；金属层分割工序，将所述金属层分割成多个电极；以及退火处理工序，对所述半导体基体进行加热从而修复所述半导体基体的所述晶格缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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