[发明专利]半导体装置和电位测量装置有效
| 申请号： | 201780072891.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN110023746B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 佐藤正启;亀谷真知子;小木纯;加藤祐理 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416;H03F1/52 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及：当电极和放大器设置在同一基板上时能够在电极形成过程中防止静电击穿的半导体装置和电位测量装置。设置有这样的二极管：该二极管的负极连接至放大晶体管的前一级，该放大晶体管用于放大由用于读取电位的读取电极读取的信号，该读取电极与输入有样本的液体接触；并且该二极管的正极接地。使用该构造，通过使电极形成过程中的在电极和放大晶体管之间产生的负电荷从二极管旁通并且向地排出负电荷来防止静电击穿。本发明适用于生物电电位测量装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电位 测量 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，这两者被构造成向液体供应参考电位；读取电极和放大器，这两者被构造成从所述液体读取信号；以及保护部，所述保护部被构造成在所述放大器的前一级中保护所述放大器不受负电荷的影响，其中所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器和所述保护部安装在同一基板上。
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