[发明专利]成膜装置及成膜方法

摘要

抑制在层压表面存在除膜以外的成分。在成膜装置中，真空槽划分等离子体形成空间并具有含有石英的隔壁。防附着板设置在隔壁的至少一部分与等离子体形成空间之间，含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种。支撑台能够载置基板，该基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔。等离子体产生源通过产生导入等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在底部及侧壁形成含硅的半导体膜。等离子体产生源通过产生导入等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在侧壁上的上述半导体膜。控制部能够在产生第一等离子体与产生第二等离子体之间切换。

主权项

1.一种成膜装置，其特征在于，具有：真空槽，具有隔壁，所述隔壁划分等离子体形成空间并含有石英，防附着板，设置在所述隔壁的至少一部分与所述等离子体形成空间之间，并含有氧化钇、氮化硅及碳化硅中的至少一种，支撑台，能够载置基板，该基板设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔，等离子体产生源，能够通过产生导入所述等离子体形成空间的含硅的成膜气体的第一等离子体，在所述底部及所述侧壁形成含硅的半导体膜，并通过产生导入所述等离子体形成空间的含卤素的蚀刻气体的第二等离子体，选择性地除去形成在所述侧壁上的所述半导体膜，以及控制部，能够切换产生所述第一等离子体与产生所述第二等离子体。