[发明专利]半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法

摘要

[问题]本发明解决了以下问题：提供半导体元件，其中，可以充分确保透明导电层和半导体层之间的电连接；半导体激光器；以及制造半导体元件的方法。[解决方案]与本技术相关的半导体元件具有第一半导体层、第二半导体层、有源层和透明导电层。所述第一半导体层具有第一导电类型，并且具有形成在表面上的条形脊。当其上形成有透明导电层的脊表面的宽度(所述宽度在与脊的延伸方向正交的方向)被设置为第一宽度，并且脊侧面上的透明导电层表面的宽度(所述宽度在上述方向)被设置为第二宽度时，所述第二宽度是第一宽度的0.99至1.0倍。当脊的反面上的透明导电层表面(所述宽度在上述方向上)被设置为第三宽度时，所述第三宽度是所述第二宽度的0.96至1.0倍，并且在第三宽度的范围内，所述透明导电层具有在90‑110％范围内的均匀厚度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的第一半导体层，在所述第一半导体层的表面上形成有条形的脊；具有第二导电类型的第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及透明导电层，所述透明导电层由透明导电材料形成并形成在所述脊中，其中，第二宽度不小于第一宽度的0.99倍且不大于所述第一宽度的1.0倍，第三宽度不小于所述第二宽度的0.96倍且不大于所述第二宽度的1.0倍，并且所述透明导电层具有所述第三宽度的范围内在不小于90％且不大于110％的范围内的均匀厚度，所述第一宽度是在垂直于所述脊的延伸方向的方向上其上形成有所述透明导电层的所述脊的表面的宽度，所述第二宽度是在所述脊的一侧上的所述透明导电层的表面在所述方向上的宽度，所述第三宽度是与所述脊相对的所述透明导电层的表面在所述方向上的宽度。