[发明专利]半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层的第一表面形成条形的脊；

具有第二导电类型的第二半导体层；

有源层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，其中，所述有源层与所述第一半导体层的第二表面直接接触，所述第一半导体层的所述第二表面与所述第一半导体层的所述第一表面相对；以及

透明导电层，所述透明导电层由透明导电材料形成并形成在所述脊上，其中，所述透明导电层接触所述第一半导体层的所述第一表面，其中，

第二宽度不小于第一宽度的0.99倍且不大于所述第一宽度的1.0倍，第三宽度不小于所述第二宽度的0.96倍且不大于所述第二宽度的1.0倍，并且所述透明导电层具有所述第三宽度的范围内在不小于90％且不大于110％的范围内的均匀厚度，所述第一宽度是在垂直于所述脊的延伸方向的第一方向上其上形成有所述透明导电层的所述脊的表面的宽度，所述第二宽度是在所述脊的一侧上的所述透明导电层的表面在所述第一方向上的宽度，所述第三宽度是与所述脊相对的所述透明导电层的表面在所述第一方向上的宽度，

所述半导体器件还包括：

焊盘电极，所述焊盘电极由导电材料形成并与所述透明导电层接触，其中，

所述焊盘电极包括形成在所述焊盘电极和所述透明导电层之间的连接部分上的中间层，所述焊盘电极的组成元件和所述透明导电层的组成元件熔合在所述中间层中，并且

所述中间层具有包括In、Sn、O和Ti的混合晶体的结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述焊盘电极是金属电极，所述金属电极由金属材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

第四宽度不小于所述第三宽度的0.99倍且不大于所述第三宽度的1.0倍，所述第四宽度是在所述透明导电层的一侧上的金属电极的表面在所述第一方向上的宽度。

4.一种半导体激光器，包括：

具有第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层的第一表面形成条形的脊；

具有第二导电类型的第二半导体层；

有源层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，其中，所述有源层与所述第一半导体层的第二表面直接接触，所述第一半导体层的所述第二表面与所述第一半导体层的所述第一表面相对；以及

透明导电层，所述透明导电层由透明导电材料形成并形成在所述脊上，其中，所述透明导电层接触所述第一半导体层的所述第一表面，其中，

第二宽度不小于第一宽度的0.99倍且不大于所述第一宽度的1.0倍，第三宽度不小于所述第二宽度的0.96倍且不大于所述第二宽度的1.0倍，并且所述透明导电层具有所述第三宽度的范围内在不小于90％且不大于110％的范围内的均匀厚度，所述第一宽度是在垂直于所述脊的延伸方向的第一方向上其上形成有所述透明导电层的所述脊的表面的宽度，所述第二宽度是所述脊的一侧上的所述透明导电层的表面在所述第一方向上的宽度，所述第三宽度是与所述脊相对的所述透明导电层的表面在所述第一方向上的宽度，

所述半导体激光器还包括：

焊盘电极，所述焊盘电极由导电材料形成并与所述透明导电层接触，其中，

所述焊盘电极包括形成在所述焊盘电极和所述透明导电层之间的连接部分上的中间层，所述焊盘电极的组成元件和所述透明导电层的组成元件熔合在所述中间层中，并且

所述中间层具有包括In、Sn、O和Ti的混合晶体的结构。