[发明专利]半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法

说明书

[问题]本发明解决了以下问题：提供半导体元件，其中，可以充分确保透明导电层和半导体层之间的电连接；半导体激光器；以及制造半导体元件的方法。[解决方案]与本技术相关的半导体元件具有第一半导体层、第二半导体层、有源层和透明导电层。所述第一半导体层具有第一导电类型，并且具有形成在表面上的条形脊。当其上形成有透明导电层的脊表面的宽度(所述宽度在与脊的延伸方向正交的方向)被设置为第一宽度，并且脊侧面上的透明导电层表面的宽度(所述宽度在上述方向)被设置为第二宽度时，所述第二宽度是第一宽度的0.99至1.0倍。当脊的反面上的透明导电层表面(所述宽度在上述方向上)被设置为第三宽度时，所述第三宽度是所述第二宽度的0.96至1.0倍，并且在第三宽度的范围内，所述透明导电层具有在90‑110％范围内的均匀厚度。

技术领域

本技术涉及一种半导体器件(例如，半导体激光器)的技术。

背景技术

半导体激光器是一种通过受激发射放大重组光发射并发射激光的半导体器件，具有发射窄辐射角和高强度激光的特征。该半导体激光器应用于光通信、光盘光学拾取器、激光打印机等。期望进一步提高光输出并降低半导体激光器的功耗。

半导体激光器具有电流阻挡结构，以将电流注入夹在p型半导体层和n型半导体层之间的有源层的预定区域中。电流阻挡结构通过在p型半导体层或n型半导体层中形成条形脊来实现。诸如ITO(氧化铟锡)等导电材料堆叠在脊上，并且电极和半导体层彼此电连接。

例如，专利文献1和2均公开了使用透明导电层的半导体激光器的工艺流程。在这些工艺流程中，在脊上堆叠抗蚀剂之后，去除脊上的抗蚀剂，并且通过使用该抗蚀剂作为掩模，来在脊上形成透明导电层。

此外，专利文献3显示了一种半导体激光器，其使用蚀刻成波导形状的透明导电层，作为包层的一部分。在此处，作为仅将透明导电层加工成波导形状而不加工p型层的过程中的一个简单点而引用。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开号2011-014891

专利文献2：日本专利申请公开号2015-167263

专利文献3：日本专利申请公开号2004-289157

发明内容

技术问题

然而，在专利文献1或2中描述的工艺流程中，很难形成一直到脊的末端的透明导电层，并且由于透明导电层和半导体层之间的接触面积减小，有可能出现器件的电压升高或注入不均匀的电流。此外，在专利文献3中描述的结构中，不能充分实现横向上的光捕获效果。

鉴于上述情况，本技术的目的是提供一种能够充分确保透明导电层和半导体层之间的电连接的半导体器件和半导体激光器以及一种制造该半导体器件的方法。

问题的解决方案

为了实现上述目的，根据本技术的实施方式的半导体器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层；以及透明导电层。

第一半导体层具有第一导电类型，条形脊形成在第一半导体层的表面上。

第二半导体层具有第二导电类型。

有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。

透明导电层由透明导电材料形成并形成在脊中。