[发明专利]用于高生长速率含硅膜的碳桥联氨基硅烷化合物

摘要

本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由至少一种前体沉积，其中所述至少一种前体具有由式A表示的结构，其中R、R1、R2、R3、R4和R5如本文所定义。

主权项

1.一种用于将包含硅和氧的膜沉积到衬底上的方法，所述方法包括以下步骤：a)在反应器中提供衬底；b)将包含至少一种有机氨基碳硅烷化合物的至少一种硅前体化合物引入所述反应器中，其中所述至少一种有机氨基碳硅烷化合物具有至少一个SiH₂或SiMeH基团并且由式A的结构表示：其中，R¹选自直链或支链C₁‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₁₀烯基、直链或支链C₃‑C₁₀炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、C₆‑C₁₀芳基、C₃‑C₁₀环烷基、支链C₄‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基、支链C₄‑C₁₀环烯基、C₃‑C₆环炔基、支链C₃‑C₆环炔基、C₁‑C₆二烷基氨基和C₁‑C₆烷基氨基；R²‑R⁵各自独立地选自氢、直链或支链C₁‑C₁₀烷基、直链或支链C₃‑C₁₀烯基、直链或支链C₃‑C₁₀炔基、C₁‑C₆二烷基氨基、C₆‑C₁₀芳基、C₃‑C₁₀环烷基、支链C₄‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基、支链C₄‑C₁₀环烯基、C₃‑C₆环炔基、支链C₃‑C₆环炔基和C₄‑C₁₀芳基；和R选自氢和甲基，条件是R和R³‑R⁵不可全部为氢；并且n＝2或3；c)用吹扫气体吹扫所述反应器；d)将含氧源引入所述反应器中；和e)用吹扫气体吹扫所述反应器，其中重复步骤b至e，直到沉积期望厚度的所述膜，和其中所述方法在约25℃至600℃范围的一个或多个温度下进行。