[发明专利]高温CMP组合物及其使用方法有效
| 申请号： | 201780062673.1 | 申请日： | 2017-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN110088359B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 迪帕克·马胡利卡尔 | 申请（专利权）人： | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/10 | 分类号： | C23F1/10;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国罗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了在升高的垫或晶片表面温度下提供稳定且稳健的抛光性能的CMP组合物及其使用方法。本公开的组合物包含反应速率优化(RRO)化合物，其优化在晶片表面上在升高的抛光温度下在浆料化学中发生的各种化学反应，使得单个晶片内的去除速率变化10％。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 cmp 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP组合物，包含：磨料；氧化剂；络合剂；腐蚀抑制剂；以及至少一种反应速率优化化合物，其中所述反应速率优化化合物在约40摄氏度至约65摄氏度的温度范围内在晶片表面上提供小于约10％的去除速率变化。
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