[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法在审
| 申请号： | 201780058948.4 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109844962A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 藤田和范;益子庆一郎;矢野步 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)的制造方法包括：在晶体硅晶片(11z)的一个主面上形成钝化层(12z)的工序；在钝化层(12z)上形成实质上本征的i型硅层(13z)的工序；使n型掺杂剂在钝化层(12z)、i型硅层(13z)和晶体硅晶片(11z)热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成n+层(20)，并使i型硅层(13z)成为n型晶体硅层(13)的工序；和在形成了n+层(20)的晶体硅晶片(11z)(n型晶体硅晶片(11))的另一个主面侧形成p型非晶硅层(17)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅晶片 单电池 钝化层 硅层 太阳能 晶片 主面 热扩散 本征 制造 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：在晶体硅晶片的一个主面上形成以氧化硅、碳化硅、或氮化硅为主要成分而构成的钝化层的工序；在所述钝化层上形成实质上本征的i型硅层的工序；使n型掺杂剂在所述钝化层、所述i型硅层、和所述晶体硅晶片中热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成所述n型掺杂剂的浓度比其他区域高的n+层，并使所述i型硅层成为n型晶体硅层的工序；和在形成了所述n+层的所述晶体硅晶片的另一个主面侧形成p型非晶硅层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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