[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

说明书

作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)的制造方法包括：在晶体硅晶片(11z)的一个主面上形成钝化层(12z)的工序；在钝化层(12z)上形成实质上本征的i型硅层(13z)的工序；使n型掺杂剂在钝化层(12z)、i型硅层(13z)和晶体硅晶片(11z)热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成n⁺层(20)，并使i型硅层(13z)成为n型晶体硅层(13)的工序；和在形成了n⁺层(20)的晶体硅晶片(11z)(n型晶体硅晶片(11))的另一个主面侧形成p型非晶硅层(17)的工序。

技术领域

本公开涉及太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法。

背景技术

现有技术中，已知有在晶体硅晶片的两面形成有非晶硅层的太阳能单电池。例如，专利文献1公开了在晶体硅晶片的受光面上形成n型非晶硅层，在该晶片的背面上形成p型非晶硅层的太阳能单电池。专利文献1所公开的太阳能单电池包括形成在各非晶硅层上的透明导电层和集电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-237452号公报

发明内容

发明要解决的课题

在太阳能单电池中，特别是增加从受光面侧入射到硅晶片的光量从而提高单元的输出特性是一个重要的课题。在包括专利文献1在内的现有技术中，在集电极的形状等方面进行了改进，增加了从受光面侧的入射光量，但仍需要进一步改善。此外，在太阳能单电池中，需要降低反向的击穿电压。

用于解决课题的方法

本公开的太阳能单电池包括：n型晶体硅晶片，其在晶片的各主面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其他区域高的n⁺层；受光面侧钝化层，其形成于作为上述n型晶体硅晶片的一个主面的受光面上，以氧化硅、碳化硅、或氮化硅为主要成分而构成；n型晶体硅层，其形成于上述受光面侧钝化层上；和p型非晶硅层，其形成于上述n型晶体硅晶片的另一个主面即背面侧，上述受光面侧钝化层含有上述n型掺杂剂，上述受光面侧钝化层和上述n型晶体硅层中的上述n型掺杂剂的浓度，为形成于上述n型晶体硅晶片的受光面侧的上述n⁺层中的上述n型掺杂剂的浓度以上。

本公开的太阳能单电池的制造方法包括：在晶体硅晶片的一个主面上形成以氧化硅、碳化硅、或氮化硅为主要成分而构成的钝化层的工序；在上述钝化层上形成实质上本征的i型硅层的工序；使n型掺杂剂在上述钝化层、上述i型硅层、和上述晶体硅晶片中热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成上述n型掺杂剂的浓度比其他区域高的n⁺层，并使上述i型硅层成为n型晶体硅层的工序；和在形成了上述n⁺层的上述晶体硅晶片的另一个主面侧形成p型非晶硅层的工序。

发明效果

根据本公开的一个方式，能够提供具有优异的输出特性，反向的击穿电压低的太阳能单电池。

附图说明

图1是作为实施方式的一例的太阳能单电池的截面图。

图2是用于说明作为实施方式的一例的太阳能单电池的制造方法的图。

图3是作为实施方式的另一例的太阳能单电池的截面图。

具体实施方式

本公开涉及的太阳能单电池具有形成于晶体硅晶片的受光面侧的n型晶体硅层，因此，与在受光面侧具有非晶硅层的现有的单元相比，入射到晶片的光量多，能够获得高输出特性。并且，在晶体硅晶片的背面侧形成有采用低温工艺而成膜的p型非晶硅层，因此能够控制制造成本，实现输出特性的提高。