[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：

在晶体硅晶片的一个主面上形成以氧化硅、碳化硅、或氮化硅为主要成分而构成的钝化层的工序；

在所述钝化层上形成实质上本征的i型硅层的工序；

使n型掺杂剂在所述钝化层、所述i型硅层、和所述晶体硅晶片中热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成所述n型掺杂剂的浓度比其他区域高的n⁺层，并使所述i型硅层成为n型晶体硅层的工序；和

在形成了所述n⁺层的所述晶体硅晶片的另一个主面侧形成p型非晶硅层的工序。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

在所述晶体硅晶片的另一个主面上形成抑制所述n型掺杂剂的扩散的扩散调整膜之后，使所述n型掺杂剂在该晶片中热扩散，在形成所述p型非晶硅层前将所述扩散调整膜除去。

3.如权利要求2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

所述扩散调整膜以氧化硅为主要成分而构成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

使所述n型掺杂剂热扩散以使得所述n⁺层的所述n型掺杂剂的浓度成为1×10¹⁸～1×10²⁰atoms/cm³。

5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

还包括在形成了所述n⁺层的所述晶体硅晶片与所述p型非晶硅层之间形成第2钝化层的工序，

所述第2钝化层以实质上本征的非晶硅、或p型掺杂剂浓度比所述p型非晶硅层低的非晶硅为主要成分而构成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

所述n型晶体硅层通过在所述第1钝化层上形成非晶的所述i型硅层之后，使该硅层结晶而形成。

7.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

在形成所述n⁺层，并使所述i型硅层成为n型晶体硅层的工序中，在使晶体硅晶片的另一个主面露出的状态下使所述n型掺杂剂热扩散。

8.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：

n型晶体硅晶片，其在晶片的各主面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其他区域高的n⁺层；

受光面侧钝化层，其形成于作为所述n型晶体硅晶片的一个主面的受光面上，以氧化硅、碳化硅、或氮化硅为主要成分而构成；

n型晶体硅层，其形成于所述受光面侧钝化层上；和

p型非晶硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的另一个主面即背面侧，

所述受光面侧钝化层含有所述n型掺杂剂，

所述受光面侧钝化层和所述n型晶体硅层中的所述n型掺杂剂的浓度，为形成于所述n型晶体硅晶片的受光面侧的所述n⁺层中的所述n型掺杂剂的浓度以上。

9.如权利要求8所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n⁺层中的所述n型掺杂剂的浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰atoms/cm³。

10.如权利要求8或9所述的太阳能单电池，其特征在于：

形成于所述n型晶体硅晶片的受光面侧的所述n⁺层中的所述n型掺杂剂的浓度，为形成于该晶片的背面侧的所述n⁺层中的所述n型掺杂剂的浓度以下。

11.如权利要求8～10中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

还包括背面侧钝化层，其形成于所述n型晶体硅晶片与所述p型非晶硅层之间，

所述背面侧钝化层以实质上本征的非晶硅、或p型掺杂剂的浓度比所述p型非晶硅层低的非晶硅为主要成分而构成。