[发明专利]SiC单晶生长用坩埚在审
| 申请号： | 201780057604.1 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109715868A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 野口骏介;大矢信之 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C01B32/956;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 单晶 单晶生长 透气度 包围 升华法 相反侧 部侧 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。
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