[发明专利]用于制备有机半导体层和有机电子器件的方法在审
| 申请号： | 201780052403.2 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109643759A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 斯特芬·伦格;卡斯滕·罗特;朱莉恩·弗雷;乌韦·戈尔弗特 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郭国清;穆德骏 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在真空室中、在10‑5毫巴至10‑9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物和(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物的物理混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体层 真空室 制备 碱金属 有机电子器件 基质化合物 物理混合物 有机络合物 真空热蒸发 有机芳族 升华 | ||
【主权项】：
1.一种在真空室中、在10‑5毫巴至10‑9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含下述物质的物理混合物：(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物；和(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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