[发明专利]用于制备有机半导体层和有机电子器件的方法

权利要求书

1.一种在真空室中、在10^-5毫巴至10^-9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含下述物质的物理混合物：

(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物；和

(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物具有≥200℃且≤450℃的熔点和/或≥80℃且≤250℃的玻璃化转变温度，优选地具有≥250℃且≤430℃的熔点和/或≥90℃且≤230℃的玻璃化转变温度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一碱金属有机络合物具有≥250℃且≤450℃的熔点和/或≥100℃且≤250℃的玻璃化转变温度。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中用于在所述真空室中、在10^-5毫巴至10^-9毫巴的压力下升华根据权利要求1所述的第一有机芳族基质化合物的速率起始温度比根据权利要求1所述的组合物的熔点低至少10℃。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物选自膦、磷杂庚英、氧化膦、磷杂庚英氧化物、菲咯啉、苯并咪唑、苯并[k]荧蒽、芘、蒽、芴、螺(二芴)、菲、苝、三蝶烯、螺[芴-9,9'-呫吨]、晕苯、联三苯叉、呫吨、苯并呋喃、二苯并呋喃、二萘并呋喃、吖啶、苯并[c]吖啶、二苯并[c,h]吖啶、二苯并[a,j]吖啶、三嗪、吡啶、嘧啶、咔唑、噻吩并嘧啶、二噻吩并噻吩、苯并噻吩并嘧啶、苯并噻吩并嘧啶和三芳基硼烷化合物及其衍生物。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物具有>2.5德拜且≤10德拜的偶极矩。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物选自氧化膦、磷杂庚英氧化物、菲咯啉和苯并咪唑，优选地选自氧化膦、磷杂庚英氧化物、菲咯啉和苯并咪唑化合物及其衍生物。

8.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物具有≥0德拜且≤2.5德拜的偶极矩。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物选自苯并[k]荧蒽、芘、蒽、芴、螺(二芴)、菲、苝、三蝶烯、螺[芴-9,9'-呫吨]、晕苯、联三苯叉、呫吨、苯并呋喃、二苯并呋喃、二萘并呋喃、吖啶、苯并[c]吖啶、二苯并[c,h]吖啶、二苯并[a,j]吖啶、三嗪、吡啶、嘧啶、咔唑、噻吩并嘧啶、二噻吩并噻吩、苯并噻吩并嘧啶、苯并噻吩并嘧啶、三芳基硼烷、膦和磷杂庚英化合物及其衍生物。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中在升华所述组合物期间，从第二真空热蒸发源共蒸发第二有机基质化合物。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一碱金属有机络合物是锂有机络合物，优选地选自喹啉锂、硼酸锂、苯酚锂、吡啶醇锂。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中在升华所述组合物期间，从另一个真空热蒸发源共蒸发第二碱金属有机络合物。

13.一种在真空室中、在10^-5毫巴至10^-9毫巴的压力下制备有机电子器件的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含下述物质的物理混合物：

(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物；和

(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物。