[发明专利]用于制备有机半导体层和有机电子器件的方法

说明书

本发明涉及一种在真空室中、在10^‑5毫巴至10^‑9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物和(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物的物理混合物。

本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，所述方法包括从单一真空热蒸发源升华组合物的步骤，其中所述组合物包含第一有机芳族基质化合物和第一碱金属有机络合物的物理混合物，本发明还涉及包含可通过该方法获得的有机半导体层的有机电子器件的制备方法。

背景技术

包含有机芳族基质化合物和碱金属有机络合物的有机半导体层用于在有机电子器件中作为电荷传输层和电荷注入层，特别是用于有机发光二极管(OLED)。

作为自发光器件的有机发光二极管具有广视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩重现。典型的OLED包含依次堆叠在基底上的阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。就此而言，所述HIL、HTL、EML、ETL和EIL是由有机化合物形成的薄膜。

当向所述阳极和阴极施加电压时，从所述阳极注入的空穴经由所述HIL和HTL移动到所述EML，并且从所述阴极注入的电子经由所述EIL和ETL移动到所述EML。所述空穴和电子在所述EML中复合，以产生激子。

在现有技术的有机电子器件中包含的包含超过一种化合物的半导体层通常从至少两个分开的真空热蒸发(VTE)源沉积。如果蒸发温度密切匹配，则可将有机芳族基质化合物的物理混合物从一个源蒸发。通常，当熔点低于在真空中蒸发的速率起始温度时，这些化合物从熔体蒸发。根据现有技术，有机芳族基质化合物和碱金属有机络合物从至少两个分开的VTE源蒸发，因为否则的话，如果将所述混合物在单一源中加热，则可能发生有机芳族基质化合物和/或碱金属有机络合物的降解。在半导体层的大量制造期间，通常所述VTE源在待涂布的基底下方来回移动。如果两种化合物从分开的源蒸发，由于首先沉积一种化合物然后再沉积另一种化合物，横向均匀性可能不佳。这可能造成性能和/或稳定性降低。

US 2016/0099422 A1公开了一种由第一化合物和第二化合物的混合物形成的组合物，其中所述第一化合物具有与所述第二化合物不同的化学结构。所述第一化合物和第二化合物两者均为有机化合物。至少一种所述第一化合物具有蒸发温度T1，并且所述第二化合物具有蒸发温度T2，其中T1和T2两者都在100℃至400℃之间，并且T1-T2的绝对值小于20℃。所述第一化合物在所述混合物中具有浓度C1，并且在如下膜中具有浓度C2，所述膜通过在高真空沉积工具中在1×10^-6托的室基准压力下，在置于距待蒸发的混合物预定距离处的表面上以2埃/秒的沉积速率蒸发所述混合物来形成；并且其中(C1-C2)/C1的绝对值小于5％。

Pu等，Organic Electronics(有机电子学),2009,10,228-232公开了用于有机发光二极管中的电子注入层的苯酚锂络合物。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种制备有机半导体层的方法，其克服了现有技术的缺点，特别是减少了需要的VTE源的数目，并改善了所述有机半导体层的横向均匀性。

这一目的通过一种在真空室中、在10^-5毫巴至10^-9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法来实现，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含下述物质的物理混合物：

(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物；和

(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物。