[发明专利]具有高功率密度的封装射频功率放大器

摘要

本发明涉及一种封装射频功率放大器。本发明还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络，其中，该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明，第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上，并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件，其中，第一部件至少部分地沿第一方向延伸，并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地，第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。

主权项

1.一种封装射频(RF)功率放大器，所述封装射频功率放大器包括：封装，所述封装具有输出引线；有源管芯，所述有源管芯被布置在所述封装内并且在所述有源管芯上布置有RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有输出端和相关联的输出电容；无源半导体管芯，所述无源半导体管芯被布置在所述输出引线和所述有源管芯之间；以及输出网络，所述输出网络被布置在所述封装内并且包括：第一电容器，所述第一电容器具有第一电容并且设置有第一端子和接地第二端子，所述第一电容器被集成在所述无源半导体管芯上；第二电容器，所述第二电容器具有第二电容并且设置有第三端子和接地第四端子，其中，所述第二电容显著大于所述第一电容；第一电感器，所述第一电感器包括一个或多个第一键合线，所述一个或多个第一键合线沿第一方向从所述RF功率晶体管的输出端延伸到所述输出引线；第二电感器，所述第二电感器包括一个或多个第二键合线，所述一个或多个第二键合线从所述RF功率晶体管的输出端延伸到所述第一端子；以及第三电感器，所述第三电感器连接在所述第一端子和所述第三端子之间；其中，由所述第二电感器、所述第三电感器、所述第一电容器和所述第二电容器形成的网络被配置成在所述RF功率放大器的工作频率处或所述RF功率放大器的工作频率附近与所述相关联的输出电容谐振；其特征在于，所述第二电容器被集成在所述无源半导体管芯上，并且所述第三电感器包括串联连接的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分至少部分地沿所述第一方向延伸，并且所述第二部分至少部分地沿与所述第一方向相反的方向延伸。