[发明专利]具有高功率密度的封装射频功率放大器

权利要求书

1.一种封装射频功率放大器，所述封装射频功率放大器包括：

封装，所述封装具有输出引线；

有源管芯，所述有源管芯被布置在所述封装内并且在所述有源管芯上布置有射频功率晶体管，所述射频功率晶体管具有输出端和相关联的输出电容；

无源半导体管芯，所述无源半导体管芯被布置在所述输出引线和所述有源管芯之间；以及

输出网络，所述输出网络被布置在所述封装内并且包括：

第一电容器，所述第一电容器具有第一电容并且设置有第一端子和接地第二端子，所述第一电容器被集成在所述无源半导体管芯上；

第二电容器，所述第二电容器具有第二电容并且设置有第三端子和接地第四端子，其中，所述第二电容显著大于所述第一电容；

第一电感器，所述第一电感器包括一个或多个第一键合线，所述一个或多个第一键合线沿第一方向从所述射频功率晶体管的输出端延伸到所述输出引线；

第二电感器，所述第二电感器包括一个或多个第二键合线，所述一个或多个第二键合线从所述射频功率晶体管的输出端延伸到所述第一端子；以及

第三电感器，所述第三电感器连接在所述第一端子和所述第三端子之间；其中，由所述第二电感器、所述第三电感器、所述第一电容器和所述第二电容器形成的网络被配置成在所述封装射频功率放大器的工作频率处或所述封装射频功率放大器的工作频率附近与所述相关联的输出电容谐振；

其特征在于，

所述第二电容器被集成在所述无源半导体管芯上，并且所述第三电感器包括串联连接的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分至少部分地沿所述第一方向延伸，并且所述第二部分至少部分地沿与所述第一方向相反的方向延伸；其中，所述第三电感器包括偶数个第三键合线，其中，所述第三键合线中的一半形成所述第一部分并且所述第三键合线中的另一半形成所述第二部分；

其中，所述无源半导体管芯包括一个或多个辅助键合焊垫，其中，属于所述第一部分的一个或多个第三键合线在所述第一端子和所述一个或多个辅助键合焊垫之间延伸，并且属于所述第二部分的一个或多个第三键合线在所述一个或多个辅助键合焊垫和所述第三端子之间延伸；

其中，所述一个或多个辅助键合焊垫被布置在所述第一端子和所述输出引线之间；

其中，所述第一端子包括用于安装所述一个或多个第二键合线和属于所述第一部分的所述一个或多个第三键合线的第一键合焊垫组件，并且所述第三端子包括用于安装属于所述第二部分的所述一个或多个第三键合线的第二键合焊垫组件，其中，所述第一键合焊垫组件被布置在所述射频功率晶体管的输出端和所述第二键合焊垫组件之间，并且所述第二键合焊垫组件被布置在所述第一键合焊垫组件和所述一个或多个辅助键合焊垫之间。

2.根据权利要求1所述的封装射频功率放大器，其中，所述第三电感器的第一部分和第二部分各自整体在所述无源半导体管芯上或所述无源半导体管芯上方延伸。

3.根据权利要求1或2所述的封装射频功率放大器，其中，所述第一电容器包括金属-绝缘体-金属电容器，并且所述第二电容器包括深沟槽电容器。

4.根据权利要求1或2所述的封装射频功率放大器，其中，所述第三键合线被布置成平行于所述一个或多个第一键合线；或

其中，属于所述第一部分的所述一个或多个第三键合线被布置成相对于所述一个或多个第一键合线呈第一角度﹢α，并且属于所述第二部分的所述一个或多个第三键合线被布置成相对于所述一个或多个第一键合线呈第二角度﹣β，其中，α和β各自为正数。

5.根据权利要求1或2所述的封装射频功率放大器，其中，所述无源半导体管芯包括具有第五端子和接地第六端子的第三电容器，所述输出网络进一步包括第四电感器，所述第四电感器包括连接在所述第五端子和所述输出引线之间的一个或多个第四键合线，其中，所述第三电容器包括金属-绝缘体-金属电容器或边缘电容器。

6.根据权利要求1或2所述的封装射频功率放大器，包括多个所述有源管芯和对应的多个所述输出网络，每个所述输出网络被布置在所述封装内，其中，每个有源管芯被耦接到相应的输出网络。