[发明专利]GaN结晶生长方法和C面GaN基板有效
| 申请号： | 201780048862.3 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN109563641B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 三川丰;藤泽英夫;望月多惠;浪田秀郎;川端绅一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;C30B29/38;C30B7/10;C30B33/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。 | ||
| 搜索关键词： | gan 结晶 生长 方法 基板 | ||
【主权项】：
1.一种GaN结晶生长方法，其包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设置由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向相对于该氮极性表面与M面的交线的方向为±3°以内的方式来配置该图案掩模；和第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
