[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法在审
| 申请号： | 201780048306.6 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109564951A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 松山谦太;藤田和范;嶋田聪 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(12)，其在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n+层(12a)；含低浓度P的氧化硅层(13)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的受光面(S1)上；n型晶体硅层(14)，其形成于含低浓度P的氧化硅层(13)上；p型非晶硅层(16)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的背面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 单电池 太阳能 氧化硅层 方法实施 整个表面 浓度比 受光面 背面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：n型晶体硅晶片，在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n+层；氧化硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的受光面上；n型晶体硅层，其形成于所述氧化硅层上；和p型非晶硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的背面侧，所述氧化硅层包含n型掺杂剂，所述氧化硅层中的n型掺杂剂的浓度，比所述n+层和所述n型晶体硅层中的n型掺杂剂的浓度低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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