[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：

n型晶体硅晶片，在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层；

氧化硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的受光面上；

n型晶体硅层，其形成于所述氧化硅层上；和

p型非晶硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的背面侧，

所述氧化硅层包含n型掺杂剂，

所述氧化硅层中的n型掺杂剂的浓度，比所述n⁺层和所述n型晶体硅层中的n型掺杂剂的浓度低。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：

还包括钝化层，其形成于所述n型晶体硅晶片与所述p型非晶硅层之间，

所述钝化层以实质上本征的非晶硅、或p型掺杂剂的浓度比所述p型非晶硅层低的非晶硅作为主成分而构成。

3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n型晶体硅层中的所述n型掺杂剂的浓度为1×10²¹atoms/cm³以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述n⁺层中的所述n型掺杂剂的浓度为1×10²⁰atoms/cm³以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：包括：

第1透明导电层，其形成于所述n型晶体硅层上；

第1集电极，其形成于所述第1透明导电层上；

第2透明导电层，其形成于所述p型非晶硅层上；和

第2集电极，其形成于所述第2透明导电层上。

6.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能单电池，其特征在于：包括：

n型非晶硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的背面的第1区域上；

绝缘层，其形成于所述n型非晶硅层上的一部分；

所述p型非晶硅层，其形成于所述n型晶体硅晶片的背面的第2区域上、和所述绝缘层上；

第1透明导电层，其形成于所述n型非晶硅层上；

第1集电极，其形成于所述第1透明导电层上；

第2透明导电层，其形成于所述p型非晶硅层上；和

第2集电极，其形成于所述第2透明导电层上。

7.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，在包含n型掺杂剂的酸性的水溶液中浸渍n型晶体硅晶片，在该晶片的整个表面形成含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层；

第2工序，在所述含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层中的位于所述n型晶体硅晶片的一方的主面上的区域，形成以实质上本征的非晶硅、或实质上本征的多晶硅层作为主成分的i型硅层；

第3工序，对所述n型晶体硅晶片进行热处理，使所述n型掺杂剂从所述含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层向所述n型晶体硅晶片和所述i型硅层扩散，在该晶片的整个表面及其附近形成所述n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层，并且使所述i型硅层结晶来形成n型晶体硅层；

第4工序，将因第3工序而一部分所述n型掺杂剂脱离而形成的含低浓度n型掺杂剂的氧化硅层中的、没有被所述n型晶体硅层覆盖的露出部分除去；和

第5工序，在所述n型晶体硅晶片的另一方的主面侧形成p型非晶硅层。

8.如权利要求7所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

还包括在所述n型晶体硅晶片的另一方的主面上形成钝化层的工序，

所述p型非晶硅层形成于所述钝化层上，

所述钝化层以实质上本征的非晶硅、或p型掺杂剂的浓度比所述p型非晶硅层低的非晶硅作为主成分而构成。

9.如权利要求7或8所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

在所述使n型掺杂剂扩散的工序中，将所述n型晶体硅晶片在800℃～1000℃的温度下进行热处理。

10.如权利要求7～9中任一项所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

形成含有所述n型掺杂剂的氧化硅层的工序中的处理温度为10℃～90℃。