[发明专利]太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法

说明书

实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(12)，其在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层(12a)；含低浓度P的氧化硅层(13)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的受光面(S1)上；n型晶体硅层(14)，其形成于含低浓度P的氧化硅层(13)上；p型非晶硅层(16)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的背面侧。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法。

背景技术

现有技术中，已知有在晶体硅晶片的两面形成非晶硅层的太阳能单电池。例如，在专利文献1中公开有在n型晶体硅晶片的受光面上形成有n型非晶硅层，在该晶片的背面上形成有p型非晶硅层的太阳能单电池。专利文献1中所公开的太阳能单电池包括形成于各非晶硅层上的透明导电层和集电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-237452号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在太阳能单电池中，提高开路电压(VOC)是重要的课题。另外，在太阳能单电池中需要降低击穿电压。

用于解决课题的技术方案

本发明一个方式的太阳能单电池包括：包括：n型晶体硅晶片，在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层；氧化硅层，其形成于n型晶体硅晶片的受光面上；n型晶体硅层，其形成于氧化硅层上；和p型非晶硅层，其形成于n型晶体硅晶片的背面侧，氧化硅层包含n型掺杂剂，氧化硅层中的n型掺杂剂的浓度，比n⁺层和n型晶体硅层中的n型掺杂剂的浓度低。

本发明一个方式的太阳能单电池的制造方法包括：第1工序，在包含n型掺杂剂的酸性的水溶液中浸渍n型晶体硅晶片，在该晶片的整个表面形成含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层；第2工序，在含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层中的位于n型晶体硅晶片的一方的主面上的区域，形成以实质上本征的非晶硅、或实质上本征的多晶硅层作为主成分的i型硅层；第3工序，对n型晶体硅晶片进行热处理，使n型掺杂剂从含高浓度n型掺杂剂的氧化硅层向n型晶体硅晶片和i型硅层扩散，在该晶片的整个表面及其附近形成n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层，并且使i型硅层结晶来形成n型晶体硅层；第4工序，将因第3工序而一部分n型掺杂剂脱离而形成的含低浓度n型掺杂剂的氧化硅层中的、没有被n型晶体硅层覆盖的露出部分除去；和第5工序，在n型晶体硅晶片的另一方的主面侧形成p型非晶硅层。

发明效果

根据本发明的一个方式，能够提供开路电压(VOC)高，且击穿电压低的太阳能单电池。

附图说明

图1是实施方式的一例的太阳能单电池的截面图。

图2是实施方式的一例的太阳能单电池的光电转换部的截面图。

图3是用于说明实施方式的一例的太阳能单电池的制造方法的图。

图4是实施方式的其它一例的太阳能单电池的截面图。

具体实施方式

本发明的太阳能单电池在n型晶体硅晶片的表面整体及其附近具有n⁺层，且在该晶片的受光面上设置有氧化硅层和n型晶体硅层。在n型晶体硅晶片的背面上不形成有氧化硅层，而形成p型非晶硅层。通过采用该结构，与现有的太阳能单电池相比，能得到开路电压(VOC)高，且击穿电压低的太阳能单电池。