[发明专利]采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路在审
申请号: | 201780045998.9 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN109478551A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | J·J·徐;M·巴达洛格鲁;杨达;P·奇达巴拉姆 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50;H01L23/528;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面,提供了一种标准单元电路,其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用,其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。 | ||
搜索关键词: | 电压轨 高纵横比 标准单元 电路 电阻 减小 电路器件 供应电压 电压差 高宽比 平行 供电 配置 | ||
【主权项】:
1.一种标准单元电路,包括:第一高纵横比电压轨,在第一方向上沿着第一纵向轴线延伸,所述第一高纵横比电压轨具有大于1.0的高宽比并且被配置为接收第一供应电压;第二高纵横比电压轨,基本上平行于所述第一高纵横比电压轨而在所述第一方向上沿着第二纵向轴线延伸,所述第二高纵横比电压轨具有大于1.0的高宽比;以及电路器件,电耦合到所述第一高纵横比电压轨和所述第二高纵横比电压轨,其中所述第一高纵横比电压轨与所述第二高纵横电压轨之间的电压差向所述电路器件提供电力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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