[发明专利]采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路在审
申请号: | 201780045998.9 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN109478551A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | J·J·徐;M·巴达洛格鲁;杨达;P·奇达巴拉姆 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50;H01L23/528;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压轨 高纵横比 标准单元 电路 电阻 减小 电路器件 供应电压 电压差 高宽比 平行 供电 配置 | ||
1.一种标准单元电路,包括:
第一高纵横比电压轨,在第一方向上沿着第一纵向轴线延伸,所述第一高纵横比电压轨具有大于1.0的高宽比并且被配置为接收第一供应电压;
第二高纵横比电压轨,基本上平行于所述第一高纵横比电压轨而在所述第一方向上沿着第二纵向轴线延伸,所述第二高纵横比电压轨具有大于1.0的高宽比;以及
电路器件,电耦合到所述第一高纵横比电压轨和所述第二高纵横比电压轨,其中所述第一高纵横比电压轨与所述第二高纵横电压轨之间的电压差向所述电路器件提供电力。
2.根据权利要求1所述的标准单元电路,还包括一个或多个金属线,所述一个或多个金属线基本上平行于所述第一高纵横比电压轨和所述第二高纵横比电压轨而在所述第一方向上沿着与所述第一纵向轴线和所述第二纵向轴线不同的一个或多个对应的纵向轴线延伸,其中:
所述一个或多个金属线中的每个金属线具有宽度,所述宽度近似等于所述标准单元电路的工艺技术的临界尺寸;
所述第一高纵横比电压轨具有宽度,所述宽度在所述一个或多个金属线中的每个金属线的宽度的近似两(2)倍和三(3)倍之间;并且
所述第二高纵横比电压轨具有宽度,所述宽度近似在所述一个或多个金属线中的每个金属线的宽度的两(2)倍和三(3)倍之间。
3.根据权利要求2所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于4.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于4.0。
4.根据权利要求2所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于3.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于3.0。
5.根据权利要求2所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于2.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于2.0。
6.根据权利要求1所述的标准单元电路,还包括一个或多个金属线,所述一个或多个金属线基本上平行于所述第一高纵横比电压轨和所述第二高纵横比电压轨而在所述第一方向上沿着与所述第一纵向轴线和所述第二纵向轴线不同的一个或多个对应的纵向轴线延伸,其中:
所述一个或多个金属线中的每个金属线具有宽度,所述宽度近似等于所述标准单元电路的工艺技术的临界尺寸;
所述第一高纵横比电压轨具有宽度,所述宽度在金属层中设置的所述一个或多个金属线中的每个金属线的宽度的近似一(1)倍和两(2)倍之间;并且
所述第二高纵横比电压轨具有宽度,所述宽度在所述一个或多个金属线中的金属线的临界尺寸的近似一(1)倍和两(2)倍之间。
7.根据权利要求6所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于4.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于4.0。
8.根据权利要求6所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于3.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于3.0。
9.根据权利要求6所述的标准单元电路,其中:
所述第一高纵横比电压轨的高宽比近似等于2.0;并且
所述第二高纵横比电压轨的高宽比近似等于2.0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的