[发明专利]半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的制造方法有效
| 申请号： | 201780044497.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109476555B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 三矢耕平;丹下秀夫;堀田元树;小川贵道 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本说明书中，公开了能抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低的技术。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间、且用于接合第1陶瓷构件和第2陶瓷构件。接合层含有包含Gd和Al的复合氧化物、以及Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置用部件，其特征在于，其具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于所述第1陶瓷构件与所述第2陶瓷构件之间、且用于接合所述第1陶瓷构件和所述第2陶瓷构件，所述接合层含有包含Gd和Al的复合氧化物、以及Al2O3，且不含AlN。
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