[发明专利]半导体制造装置用部件有效
| 申请号： | 201780044335.5 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109476553B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 三矢耕平;丹下秀夫;堀田元树;小川贵道 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | B32B5/16 | 分类号： | B32B5/16;H01L21/683;C04B37/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
抑制稀土氢氧化物的飞散、第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于前述第1陶瓷构件与前述第2陶瓷构件之间、且用于接合前述第1陶瓷构件和前述第2陶瓷构件，前述接合层包含化学式ABO |
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| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置用部件，其特征在于，其具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于所述第1陶瓷构件与所述第2陶瓷构件之间、且用于接合所述第1陶瓷构件和所述第2陶瓷构件，所述接合层包含化学式ABO3所示的钙钛矿型氧化物，且不含仅具有稀土元素和氧的稀土单一氧化物，化学式ABO3中，A为稀土元素，B为Al。
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