[发明专利]在外延反应器中处理半导体晶片的设备和制备具有外延层的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201780043117.X | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109478532B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | P·莫斯;H·黑希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C30B25/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在外延反应器中处理半导体晶片的设备和制备具有外延层的半导体晶片的方法。所述设备包括：基座；引导穿过基座的纵向洞；晶片提升轴；引导穿过纵向洞的晶片提升销；基座承载轴；基座承载臂；基座支承销；被锚定在基座承载臂中的引导袖；及引导元件，其突出于引导袖并且在上端具有有晶片提升销插入其中的孔，并且能够借助晶片提升轴连同晶片提升销一起升高和降低。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 反应器 处理 半导体 晶片 设备 制备 具有 方法 | ||
【主权项】：
1.在外延反应器中处理半导体晶片的设备，其包括：基座；引导穿过基座的纵向洞；晶片提升轴；引导穿过纵向洞的晶片提升销；基座承载轴；基座承载臂；基座支承销；被锚定在基座承载臂中的引导袖；及引导元件，所述引导元件突出于所述引导袖并且在上端具有孔，所述晶片提升销插入所述孔中，并且所述引导元件能够借助所述晶片提升轴连同所述晶片提升销一起升高和降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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