[发明专利]在空间ALD处理腔室中用以增加沉积均匀性的装置有效

专利信息
申请号: 201780041442.2 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN109451743B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: J·约德伏斯基;A·S·波利亚克 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/455
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 汪骏飞;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了包含具有带多个凹陷的顶表面和底表面的基座的基座组件。加热器位于基座下方以加热基座。屏蔽件位于基座的底表面和加热器之间。屏蔽件增加跨基座的沉积均匀性。
搜索关键词: 空间 ald 处理 腔室中 用以 增加 沉积 均匀 装置
【主权项】:
1.一种基座组件,包含:基座,具有顶表面和底表面,所述顶表面具有多个凹陷形成于所述顶表面中,所述凹陷经尺寸设定为在处理期间支撑基板;加热器,位于所述基座下方,以加热所述基座;以及屏蔽件,位于所述基座的所述底表面和所述加热器之间,所述屏蔽件增加跨所述基座的沉积均匀性。
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