[发明专利]利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法及由此制造而成的透明导电膜

摘要

本发明涉及利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法，包括：S1：在基板(10)的上面或基板(10)的上面及下面形成光刻胶层(20)的步骤；S2：在上述光刻胶层(20)上形成以网状排列有浮刻部(21)和凹刻部(22)的凹刻图案部的步骤；S3：在上述光刻胶层(20)的凹刻图案部上沉积第一金属膜导电层(40)，或在完成沉积的基板上的上述第一金属膜导电层(40)上，通过镀层工艺生长第二金属膜导电层(50)的步骤；S4：对完成沉积或镀层的上述基板的表面，利用干冰粉末进行表面改性的步骤；及S5：去除上述光刻胶层(20)的浮刻部(21)的步骤。避免在形成厚的金属膜导电层之后进行湿法蚀刻工艺，通过利用干冰的表面改性使脱离变得容易，从而改善工艺复杂性，减少不良率。另外，通过沉积于凹刻部内部的上部及下部低反射层大幅减少可见性，在下部起到粘接层的作用，而在上部起到保护层的作用，从而可提供具有高可靠性的透明导电膜。

主权项

1.一种金属网类型透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：S1：在基板(10)的上面或基板(10)的上面及下面形成光刻胶层(20)的步骤；S2：在上述光刻胶层(20)上形成以网状排列有浮刻部(21)和凹刻部(22)的凹刻图案部的步骤；S3：在上述光刻胶层(20)的凹刻图案部上沉积第一金属膜导电层(40)，或在完成沉积的基板上的上述第一金属膜导电层(40)上，通过镀层工艺生长第二金属膜导电层(50)的步骤；S4：对完成沉积或镀层的上述基板的表面，利用干冰粉末进行表面改性的步骤；及S5：去除上述光刻胶层(20)的浮刻部(21)的步骤。